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RIE-800iP是一種高性能ICP(電感耦合等離子體)蝕刻系統(tǒng)，它使用高密度等離子體來執(zhí)行光電器件和電子元件所需的化合物半導(dǎo)體或介電膜蝕刻.
獨特的HSTC™線圈可產(chǎn)生均勻的高密度等離子體。最大功率為1kw(可選3kw)，適用于ICP和Bias的射頻等離子體源，用于高速蝕刻。大電導(dǎo)允許在低壓環(huán)境下高氣體流量。
電機驅(qū)動平臺可以優(yōu)化晶圓和等離子體之間的距離，以實現(xiàn)高均勻性。
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系統(tǒng)配置 ● 配備先進的ICP源：HSTC™(Hyper Symmetrical Tornado Coil)
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尺寸
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SiC trench MOSFET |
GaAs VCSEL |
Metal etching |
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設(shè)備參數(shù)
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常務(wù)需求
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